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0MPXV6115V6T1——单片式带信号调节的硅压力传感器,SOP-8 型号:MPXV6115V6T1 封装:SOP-8 类型:压力传感器 MPXV6115V6T1——产品属性: 应用:板式安装 压力类型:真空 工作压力:-16.68PSI(-115kPa) 输出类型:模拟电压 输出:0.2V ~ 4.6V 精度:±1.5% 电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V 端口样式:无端口 特性:温度补偿 最高压力:-58.02PSI(-400kPa) 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOP 星际金华,明佳达【供应】【回收】MPXV6115V6T1压力传感器,ADUM12
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0DS90UA101TRTVRQ1——汽车类多通道数字音频串行器,WQFN-32 型号:DS90UA101TRTVRQ1 封装:WQFN-32 类型:数字音频串行器 DS90UA101TRTVRQ1——产品属性: 功能:串行器 数据速率:600Mbps 输入类型:LVCMOS 输出类型:FPD 链路 III,LVDS 输入数:4 输出数:1 电压 - 供电:1.71V ~1.89V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-WFQFN 祼焊盘 供应商器件封装:32-WQFN(5x5) 星际金华,明佳达【供应】【收购】DS90UA101TRTVRQ1数字音频串行器,NCV8460ADR2G自保护
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0【出售】IC:BTN7975B 高性能半桥驱动芯片,BTS3256D,BTS3160D电源开关/驱动器 产品详情 1、BTN7975B是一款高性能半桥驱动芯片,属于 NovalithIC™ 系列。 特性 高电流驱动能力 支持高达 70 A 的峰值输出电流,满足高功率应用需求。 低导通电阻(RDS(on)),减少功率损耗,提高系统效率3。 集成保护功能 内置过温保护、过流保护和短路保护,确保系统安全运行。 具有诊断反馈功能,可实时监控芯片状态。 低功耗设计 采用先进的 MOSFET 技术,降低静态和动态功
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0ICS843002AG-01LFT——170MHz,FemtoClock®频率合成器 IC,TSSOP-20 型号:ICS843002AG-01LFT 封装:TSSOP-20 类型:频率合成器 IC ICS843002AG-01LFT——产品属性: 系列:FemtoClock® 类型:频率合成器 PLL:带旁路 输入:晶体 输出:LVPECL 电路数:1 比率 - 输入:输出:1:2 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大值:170MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 供电:2.97V ~ 3.63V 工作温度:-30°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-TSSOP 星际金华,明佳达【供应及回收】ICS843002AG-01LFT频
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10产品特点 **智能充电管理**:ZCC1130T支持对0V电池充电,具备电池平衡充电功能,能够有效延长电池寿命。此外,其智能温控技术可根据温度变化自动调节充电电流,确保在高温或大功率操作下芯片温度保持在安全范围内。 **全方位安全保护**:该芯片配备了短路保护、电池正负极反接保护、异常电池检测等功能,全方位保障电池和设备的安全。 **低功耗设计**:当输入电压(如交流适配器或USB电源)被移除时,ZCC1130T会自动进入低电流状态,电池漏电流00全球连接与传感领域领军企业TE Connectivity (TE)最新推出的LUMAWISE Endurance N 增强型底座是一款照明控制底座配件,可提供复杂控制节点解决方案所需的交流电源开关功能和直流电源,为 NEMA/ANSI 街道和室外照明控制解决方案搭建一个快速开发和制造的平台。 TE Connectivity (TE)的LUMAWISE Endurance N 增强型底座有直流电源和信号传输接口布局有序合理,设计经济高效,支持重复使用,降低因更改设计而导致的项目进度和成本方面的风险。新项目机遇更多0ADG1433YCPZ——4 Ω导通电阻、iCMOS™、三通道单刀双掷开关 描述:ADG1433YCPZ是单芯片工业CMOS (iCMOS) 模拟开关,内置三个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关,防止开关通道时发生瞬时短路。 ADG1433YCPZ——产品属性: 导通电阻:4.7 Ω(最大值,25°C) 导通电阻平坦度:0.5 Ω 额定电源电压:±15 V/+12 V/±5 V 3 V逻辑兼容输入 每个通道的连续电流最高达115 mA 轨到轨工作 先开后合式开关动作 16引脚 4 mm × 4 mmLFCSP_VQ封装 【星际金华,明0NVGS3443T1G:汽车功率 MOSFET——20V,-4.4A,65mΩ,单 P通道功率 MOSFET晶体管 型号:NVGS3443T1G 封装:TSOP-6 类型:MOSFET晶体管 NVGS3443T1G——产品属性: FET 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A(Ta) 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):65 毫欧 @ 4.4A,4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):15 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):565 pF @ 5 V 工作温度:-50he ZCC5060high-side protection controller providesintelligentcontrol of a high-side N-channel MOSFETduring normal on/off transitions and fault conditions.In-rush current iscontrolled by the nearly constantrise time of the output voltage. A POWERGOODoutput indicates when the output voltage reaches theinput voltage and the MOSFET is fully on. InputUVLO (with hysteresis) is provided as well asprogrammable input OVP. An enable input providesremote on or off control. The programmable UVLO input can be used as second enable input for safetyredundancy. A single capacitor programs the initialstart-up0在现代电子系统中,尤其是汽车电子和高性能电源管理领域,对高效、可靠的降压控制器的需求日益增长。ZCC5143作为一款高性能的双路同步降压控制器,凭借其卓越的设计和功能,正在成为工程师们的新宠。与传统的LM5143相比,ZCC5143在多个关键性能指标上实现了显著提升。 ZCC5143的核心优势 · 超宽输入电压范围:ZCC5143支持从3.5V到65V的输入电压范围,能够适应各种复杂的电源环境。 · 高精度输出:提供1%的高精度输出,支持3.3V/5V固定输出或0.6V至55V的0ZCC2785:高性能线性稳压器的卓越之选 在当今复杂多变的电子设备市场中,高性能线性稳压器的需求日益增长。ZCC2785作为一款专为高输入电压应用设计的线性稳压器,凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,正在成为众多工程师和设计师的首选。 ZCC2785: The Premier Choice for High-Performance Linear Voltage Regulators In today's complex and rapidly evolving electronics market, the demand for high-performance linear voltage regulators is growing exponentially. ZCC2785, a linear voltage regulator specifically design00MC56F8037VLHR:32MHz、56800E 内核、64KB 闪存,16位数字信号控制器(DSC),LQFP-64 核心处理器:56800E 内核规格:16 位 速度:32MHz 连接能力:CANbus,I2C,SCI,SPI 外设:POR,PWM,WDT I/O 数:53 程序存储容量:64KB(32K x16) 程序存储器类型:闪存 RAM 大小:4K x 16 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 3.6V 数据转换器:A/D 16x12b;D/A2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LQFP(10x10) MC56F8037VLHR 是面向工业应用的带CAN的16位数字信0BTS3405G:ClassicHITFET™ 12V 汽车级低边智能功率开关,PG-DSO-8 输入电流低 短路保护和过载保护 电流限制 输入保护(ESD) 热保护时自动重启 兼容标准功率 MOSFET 可进行模拟驾驶 双通道方案节省 PCB 空间 BTS3405G 是一款采用PG-DSO-8-25 封装的单通道低边电源开关,提供嵌入式保护功能。该器件由两个独立单片 IC 组成。每个 IC 都具有一个 N 通道功率MOSFET 晶体管和额外的保护电路。 星际金华,明佳达【供应】【收购】BTS3405G(低边智能功率开关),AUIRF8739L2TR(0PIC32MX270F512H-I/MR:50MHz,32位单核微控制器 -MCU,QFN-64 系列:PIC® 32MX 核心处理器:MIPS32® M4K™ 内核规格:32 位单核 速度:50MHz I/O 数:49 程序存储容量:512KB(512K x8) 程序存储器类型:闪存 RAM 大小:64K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2.3V ~ 3.6V 数据转换器:A/D 28x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-QFN(9x9) 星际金华,明佳达供应,回收PIC32MX270F512H-I/MR(32位单核微控制器),SIWN917Y100LGA(无线模块)。 SIWN9170QCA6174A-5:高性能 2x2 双频 802.11ac Wi-Fi,配备 MU-MIMO 和蓝牙 5.0 无线电 型号:QCA6174A-5 封装:BGA 类型:Wi-Fi/蓝牙组合芯片 QCA6174A-5 产品特征: 在单个 SoC 中实现 2x2 802.11ac + 蓝牙 5.0 支持蓝牙 5.0 和低能耗蓝牙,并向后兼容蓝牙 2.x 集成射频前端和单端设计 使用 3.3 V 单电源和 1.8 V 或 3.3 V I/O 电源运行 先进的 11ac 功能: MU-MIMO、发射波束赋形器 WLAN 和蓝牙电源管理均采用先进的省电技术 最大似然 (ML) 解码、低密度奇偶校验 (LDPC)、最大比率合并 (MRC),实现稳00LS1020AXN7MQB:1.2GHz,32位 QorIQ® Layerscape 双核通信处理器,Arm® Cortex®-A7内核,FBGA-525 型号:LS1020AXN7MQB 封装:FBGA-525 类型:Layerscape处理器 LS1020AXN7MQB - 产品属性: 系列:QorIQ® Layerscape 核心处理器:ARM® Cortex®-A7 内核数/总线宽度:2 核,32 位 速度:1.2GHz 协处理器/DSP:多媒体;NEON™ SIMD RAM 控制器:DDR3L,DDR4 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:525-FBGA,FCBGA 供应商器件封装:525-FCPBGA(19x19) 星际金华,明佳达供应,回收LS1020AXN7MQB(0R7S910015CBG(R7S910016CBG):RZ/T1微处理器,采用带 FPU 内核的 Arm® Cortex®-R4 处理器,专为实时处理设计,能以高达450MHz 的频率高速运行 型号:R7S910015CBG(R7S910016CBG) 封装:FBGA-320 类型:RZ/T1系列 - 32位单核微处理器MPU 星际金华,明佳达供应,回收R7S910015CBG(R7S910016CBG)RZ/T1系列 - 32位单核微处理器MPU。 R7S910015CBG(R7S910016CBG) - 产品属性: 系列:RZ/T1 核心处理器:ARM® Cortex®-R4F 内核规格:32 位单核 速度:450MHz I/O 数:209 程序存储器类型:ROMless RAM 大小:00MAX25249是一款高效、四路输出PMIC,集成三个DC-DC转换器和一路高PSRR LDO,全部输出均具有OV/UV监测。 OUT1为1A、高压、同步降压型转换器,采用同轴电缆供电或汽车电池供电。 OUT2和OUT3低电压、同步降压型转换器,采用OUT1为供电电源,提供0.8V至3.9875V输出电压范围。 OUT2可提供1.2A电流,适用于百万像素摄像机和高速串行器。 OUT3提供0.5A电流,为成像器、串行转换器和MCU的辅助电源轨供电。 OUT4为低压、低噪声、高PSRR LDO,适用于成像器电源。全部降压转换0全球连接与传感领域领军企业TE Connectivity (TE)最新推出的LUMAWISE Endurance N 增强型底座是一款照明控制底座配件,可提供复杂控制节点解决方案所需的交流电源开关功能和直流电源,为 NEMA/ANSI 街道和室外照明控制解决方案搭建一个快速开发和制造的平台。 TE Connectivity (TE)的LUMAWISE Endurance N 增强型底座有直流电源和信号传输接口布局有序合理,设计经济高效,支持重复使用,降低因更改设计而导致的项目进度和成本方面的风险。新项目机遇更多0CD8070604560002S:33M高速缓存,2.00GHz,英特尔® 至强® Gold 6330H 处理器 处理器编号:6330H CPU 规格: 内核数:24 总线程数 :48 最大睿频频率:3.70 GHz 处理器基本频率:2.00 GHz 缓存:33 MB 内存规格: 最大内存大小(取决于内存类型):1.12 TB 内存类型:DDR4 RDIMM 最大内存速度:2933 MHz 最大内存通道数:6 支持的 ECC 内存:是 封装规格:支持的插槽 FCLGA4189 封装大小:77.5 mm x 56.5 mm 类型:英特尔® 至强® Gold6330H 处理器 星际金华,明佳达【供应】【回收】CD8070600ULP-120:DC 至 120MHz、低通滤波器、SMT 表面贴装 频率:132MHz(截止值) 带宽:120MHz 滤波器类型:低通 插损:2dB 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD 模块 低插入损耗,典型值 1.5dB 高抑制,> 40dB 尖锐的插入损耗滚降 良好的驻波比 超小型表面贴装封装 星际金华,明佳达【供应】【回收】ULP-120(低通滤波器),HFCU-223(高通滤波器)。 HFCU-223:50Ω、微型 LTCC 高通滤波器、具有 22.8 至 39 GHz 的通带,表面贴装 频率:30.9GHz Center 带宽:16.2GHz 滤波器类01544334-1(汽车连接器):线对线,2POS 汽车连接器护套,电缆安装(自由悬挂),混合型 连接器形状: 矩形 连接器系统:线到线 位数:2 连接器和壳体类型:母端子护套 中心线(间距):12mm[.472in] 连接器和端子端接到: 电线和电缆 主要锁定特性: 外壳集成 端子尺寸:0.315"(8.00mm) 针位数:2 堆叠方向:侧面至侧面 工作电压:13VDC 星际金华,明佳达供应,回收1544334-1【汽车连接器护套】,AGFA014R24B2E2V【Agilex 7 F-系列 014 FPGA】 AGFA014R24B2E2V:1.4GHz,Agil0天道酬勤,周六的我依然在搬砖🧱但是我们有料"大放价"现货库存:RB302B、78L05、78M05-1A、500MA、DPDW03等产品型号永源微:AP2300、AP2301、AP2302、AP3400、AP3401、AP2305、AP50N04D 等低中高电压系列均有,型号封装齐全德普微:DP8205、DPDW01、DPDW03、DPDW02、DP3080C、DP245D、DP3115等产品型号泉芯:QX2303、2304、3401、5252F、5231等产品型号天源:TP4333、SP4533、TP4056、TP4057、TP4054等产品型号海川:SM5401、SM5212、SM5308等产品型号拓尔微: TMI3113、TMI3113B、TMI3113H2、TMI3253S、T0TMS320C6455BCTZ:高达1GHz,高性能C64x+定点数字信号处理器,FCBGA-697 类型:定点 接口:主机接口,I2C,McBSP,PCI,UTOPIA 时钟速率:1GHz 非易失性存储器:ROM(32kB) 片载 RAM:2.1MB 电压 - I/O:1.8V,3.3V 电压 - 内核:1.25V 工作温度:0°C ~ 90°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:697-BFBGA,FCBGA 应商器件封装:697-FCBGA(24x24) 星际金华,明佳达供应,回收TMS320C6455BCTZ【数字信号处理器】TMS320C6655CZH。 TMS320C6655CZH - 高达1GHz,高性能单核 C66x 定点和浮点数字信号00000全球连接与传感领域领军企业TE Connectivity (TE)最新推出的LUMAWISE Endurance N 增强型底座是一款照明控制底座配件,可提供复杂控制节点解决方案所需的交流电源开关功能和直流电源,为 NEMA/ANSI 街道和室外照明控制解决方案搭建一个快速开发和制造的平台。 TE Connectivity (TE)的LUMAWISE Endurance N 增强型底座有直流电源和信号传输接口布局有序合理,设计经济高效,支持重复使用,降低因更改设计而导致的项目进度和成本方面的风险。新项目机遇更多0ADSP-BF504BCPZ-4:Blackfin 处理器,具有优化的外设集,适合工业和通用应用,LFCSP-88 Blackfin处理器内核:400MHz (800 MMACS)性能和68KB L1存储器 低功耗:数值待定 2个SPI、2个SPORT、2个UART和1个PPI接口 ADC控制模块可与外部ADC实现无缝接口,并实现同步采样 2个三相PWM单元 CAN控制器和移动存储器接口 8个通用计数器和2个32位增/减计数器,支持旋转计数 12个外设DMA通道和2个存储器对存储器DMA通道 12x12mm LFCSP封装 星际金华,明佳达供应,回收ADSP-BF504BCPZ-4【Blackfin 嵌入00铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征:120V,200ARDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V TYP:5.0mΩRDS(ON)<7.5mΩ@VGS=6V TYP:6.5mΩ先进的沟槽电池设计低热阻 应用:电机驱动器直流-直流转换器0描述: AP180N03P/T采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作 该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征: VDS=30V ID =180A RDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V (Type:2.1mΩ) 应用: 电池保护 负载开关 不间断电源0AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征:650V,7ARDS(ON)<1.35Ω@VGS=10V TYP:1.1Ω快速切换100%雪崩测试改进的dv/dt能力应用:开关模式电源(SMPS)不间断电源(UPS)功率因数校正(PFC)PWM应用0APA65R640FM 超结功率场效应晶体管特征:650V,7ARDS(ON)<640mΩ@VGS=10V TYP:523mΩ先进的超结技术极低导通电阻应用:功率因子校正(PFC)开关模式电源(SMPS)不间断电源(UPS)LED照明电源0AP100N03P/T 30V N-通道增强模式 MOSFET描述:AP100N03P/T是采用先进的沟槽技术提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作该器件适用于电池保护或其他开关应用特征:VDS = 30V ID =100 ARDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V (Type:4.5mΩ)应用:电池保护负载开关不间断电源0华羿微 HYG160N06LS1D/U/V N- 通道增强型 MOSFET特征:60V,38ARDS(ON)<14mΩ@VGS=10V100% 雪崩测试100% DVDS可靠且坚固提供无卤素和绿色设备(符合 RoHS 标准)应用:开关应用DC-DC 转换器05CEFA4F23C8N:Cyclone® V E 现场可编程门阵列(FPGA)IC 型号:5CEFA4F23C8N 封装:FBGA-484 类型:嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) 5CEFA4F23C8N 产品属性: LAB/CLB 数:18480 逻辑元件/单元数:49000 总 RAM 位数:3464192 I/O 数:224 电压 - 供电:1.07V ~ 1.13V 安装类型:表面贴装型 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:484-BGA 供应商器件封装:484-FBGA(23x23) 星际金华,明佳达供应,回收5CEFA4F23C8N Cyclone® V E 现场可编程门阵列(FPGA)IC。000000C3M0016120D:1200V 单N-通道碳化硅MOSFET晶体管,TO-247-3 FET 类型:N 通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V Vgs(最大值):+15V,-4V 功率耗散(最大值):556W(Tc) 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 星际金华,明佳达供应,回收C3M0016120D(碳化硅MOSFET晶体管)C2M0280120D C2M0280120D:1200V N通道 SiCFET(碳化硅)MOSFET晶体管,TO-247-3 FET 类型:N