二、开箱&外观
包装：



本体：

主控：

颗粒：

PCB：

外包装纸盒设计的风格延续了Lexar固态硬盘产品系列的一贯作风，但本次ARES固态硬盘在颜色上做出了改变，一改以往NM800系列黑金的正面外观风格，采用了大红的颜色。
外包装的右上角则标注了ARES的读取速度，并列举了ARES产品特点；同时包装背面也割开了一小块区域，透过此块区域也可以一窥内部的硬盘型号、序列号等信息；
ARES硬盘主控是来自联芸（MAXIO）的MAP1602A，是一款12nm PCIe 4.0 Dram-Less主控，支持最高2400MT/s频率的颗粒。
NAND为自封颗粒，编号为RY18TAA48821024-H225212128701T；单颗粒容量为1TB,共两颗，详细的NAND信息将在后续通过Flash ID软件进行进一步进行分析。
PCB采用了单面四贴颗粒的布局，厚度控制较好，适合有特殊需求的笔记本用户加装；其PCB的布局虽然较紧凑，但由于采用了Dram-Less方案的主控，主控发热量小，也较为合理；PCB上同时空出来的两个颗粒焊位，给人带来了后续推出单面4T版本的希望。

三、基本信息
惯例，到手上机先看CDI

CDI抓取到的smart的信息较为有限，故使用smartmontools进一步抓取主控的smart信息。如下所示：
由smartmontools抓取到的Supported Power States可知，ARES主控MAP1602所标示的PS0最大功耗为6.50W，其标称数值相比同类Dram-Less产品偏高，但实际温度表现笔者将会在下文详细分析。
由smartmontools抓取到的信息可知，smart中温度值有三个，但实际的温度传感器有两个，其中Temperature显示的温度和Temperature Sensor 1所显示的温度相关联。其中，笔者推测Temperature Sensor 1对应的是主控的温度，而Temperature Sensor 2对应的是颗粒的温度，同时将smartmontools抓取到的温度和CDI的温度进行对比可以发现，CDI温度对应的是Temperature Sensor 1的温度。

通过Maxio Flash ID可进一步得知具体的颗粒信息：

可知ARES采用的是长江存储（YMTC）第三代X-Tacking的颗粒，带宽为2400MT/s，单Die 1024Gb，一共采用了16 Die，共计16CE。
测试完毕时CDI截图：

测试完毕时一共写入30TB左右的数据，健康度下降了1%，参数收紧假设健康度下降2%，粗略估算，当健康度归零时，写入量大概在1500TB左右，此时正好达到官方保修所给的TBW限度。

四、测试平台及设置
Processor：AMD Ryzen 3700X @ 4.4GHz
Motherboard：Micro Star X570 Gaming Plus（BIOS Verizon：7C37vAE）
System：Windows 10 Professional 21H2 / Centos 8.4.2105
Heatsink：Thermalright TR-M.2 2280
IO Interface：M2_1 slot (From AMD® Processor)
由于测试采用的是AMD平台，相关测试数据可能偏低。

五、基本性能测试





在Windows下对ARES进行了CDM/ASS/HD Tune/PCM8/3D Mark的测试，仅供参考。
从Windows下常规的跑分性能测试结果来看，得益于AMD X570平台的512KB字节Payload，以及第三代X-Tacking颗粒的2400MT/s IO带宽，使得ARES在采用了仅有4CH通道的Maxio MAP1602A Dram-Less无缓主控，也能够在CDM测试中，达到接近7500MB/s的顺序读取速度，其整体的表现已强于常规的PCIe 3.0旗舰级固态硬盘。
HD Tune中对Lexar ARES 2T写入了300GB的数据量，由测试结果可知：其缓存内读取性能约5900MB/s，写入性能约5100MB/s，读写曲线接近一条直线；同时，也可以窥知ARES在300GB数据量写入的过程中，顺序写入并未出现降速，SLC Cache大小较大，需在后续的测试中进一步确定其SLC Cache大小及缓存外写入能力。

六、进阶性能验证
为了进一步测试该盘的实际性能情况，在Centos环境下采用FIO对硬盘进行持续和全面的性（大）能（保）测（健）试，同时也是对硬盘本身极限性能进行标定。
(1)全盘读写
首先肯定是来一套全盘读写项目
ARES全盘平均写入速度为1785MiB/s（1871MB/s）。由全盘写入曲线来看，ARES则是典型的全盘“三段速”表现，第一段的SLC Cache大小大约有315GiB，接近全盘容量的1/6，此段平均写入速度为5600MiB/s左右；第二段的平均写入速度为2550MiB/s，维持的大小约为1030GiB；第三段则是由于主控在后台进行垃圾回收，前段速度维持在800MiB/s左右，顺序写入至全盘容量93%大小时，写入速度会间歇性飚升至2700MiB/s左右后回落，说明快接近满盘时，ARES固件的垃圾回收（GC）策略较为积极。
全盘读取第一段速度保持在约5600MiB/s，后续则是进一步回升至约6000MiB/s；由于全盘读取是在全盘写入后进行测试，易受到全盘写入数据的影响，故全盘读取的速度会低于CDM下测得的最大读取速度。

(2)4KiB全盘跨度随机读写（QD1T1）

(3)4KiB全盘跨度随机读写（QD32T4）

QD1 T1条件下4KiB全盘跨度读取性能一致性良好，但QD32T4下4KiB全盘跨度读取性能一致性表现较差；QD1T1和QD32 T4下的4KiB随机写入性能均未有效收敛，属于消费级Dram-Less硬盘常规现象；
QD1 T1下的随机读取IOPS达到了9899（40.5MB/s），延迟表现良好，无论是IOPS还是整体延迟，ARES表现均好于采用MAP1602A+X3-9070公版固件方案的性能；随机写入的IOPS为4837（19.8MB/s），随机写入的表现较差，这也是Dram-Less方案的通病所在；
QD32 T4下的随机读取IOPS达到了123K（505MB/s），随机写入的IOPS为8696（35.6MB/s），性能表现和延迟表现均好于采用MAP1602A+X3-9070公版固件方案。

(4)4KiB全盘跨度随机7读3写（QD32T4）
4KiB下全盘跨度随机7读3写的IOPS均未有效收敛。随机读取的IOPS为13.1K（64.9MB/s），随机写入的IOPS为5599（27.8MB/s），总IOPS约为18.7K（92.7MB/s）。全盘跨度随机7读3写的性能及延迟表现略好于采用MAP1602A+X3-9070公版固件方案的性能。

(5)SLC Cache写入测试
在此阶段，分别对硬盘进行20%/40%/60%/80%的预填充，静置15min让主控进行GC(Garbage Collection)操作，然后再对剩余空间进行顺序写入，测试其缓内及缓外顺序写入情况。
①预填充20%

②预填充40%
③预填充60%
④预填充80%
在SLC Cache的测试环节中，预填充分别为20%/40%/60%/80%时，SLC Cache大小依次为317GiB/195GiB/75.8GiB/19.11GiB。预填充20%时，呈现了“三段式”阶梯写入曲线，其中第二段写入速度接近2500MiB/s，维持大小在22GiB左右；而预填充40%/60%/80%时的写入曲线基本保持平稳，未出现较大的波动；无论是预填充20%时第三段的写入速度，还是预填充40%/60%/80%时第二段的速度，基本上维持在840MiB/s~890MiB/s左右，同时ARES写至将近全盘容量93%大小时，写入速度会出现了较大的波动，此时主控在后台进行垃圾回收操作（GC），同时进行积极地释放空间，这与其他采用了MAP1602A+X3-9070公版固件方案有着截然不同的表现，也说明了Lexar厂商针对固件方面进行了细微的调整。

(6)稳态顺序读写
在此阶段，先对ARES 2T进行了一次全盘顺序写入后，再进行顺序写入1800s和顺序读取1800s测试项目。
结果如下：

在长时间稳态顺序读写中，平均读取速度在5795MiB/s（6076MB/s）左右，未与Windows下CDM的读取速度持平，笔者认为是由于脏盘所带来读取降速的情况，与之前全盘读写的情况相类似；稳态顺序写入速度稳定在2531MiB/s（2654MB/s）左右，波动程度不大，是接驳了16CE时X3-9070 TLC颗粒直写应有的表现。

(7)发热测试
笔者也利用开放式机箱无风道的情况下，在Windows下采用FIO软件对安全擦除后的ARES进行了1800s的全盘顺序读取，并用HWINFO记录相关的温度传感器数据，以期判断硬盘的功耗情况，情况如下图所示：

由测试结果可知，ARES在1800s下的顺序读取能够维持在7139MiB/s，换算到MB就是7486MB/s，且1800s下顺序读取并未出现降速的情况。其中Temperature Sensor 1对应的应是主控的温度，基本上维持在60℃上下，Temperature Sensor2 对应的是颗粒的温度，基本上维持在32~33℃下波动，发热表现较好。

七、总结
1、ARES采用了联芸的MAP1602+长江存储的第三代X-Tacking颗粒，可谓“好马配好鞍”，使得现阶段基于Dram-Less的固态硬盘也能够拥有高达7500MB/s的读取带宽，给广大消费者提供了更多的高性能选择；
2、雷克沙这次在固件方面作出了进一步的优化和调整，轻型负载下的表现良好，重型负载下的随机读写延迟和性能释放表现也较采用了Maxio Turnkey固件方案的硬盘更胜一筹；
3、由于采用了基于Dram-Less方案和先进制程工艺的MAP1602主控，以及单面四焊盘、双贴颗粒的PCB布局方案，ARES在保证一定性能水平的同时还拥有良好的能耗表现，是一款较为均衡的高性能消费级产品；
4、由于Dram-Less方案的固有缺陷，即便ARES较公版固件有所调整和优化，但对深队列和重负载场景的表现仍然不佳，出于性能和可靠性的考量，不推荐将这款产品应用于相关场景。

临近618大促期间，Lexar也借此机会进一步推出了ARES 4T容量版本，全面支持最新的NVMe2.0协议，其总写入寿命相较于2T版本翻了一倍，达到了3000TBW，有兴趣的朋友可以借此年中大促支持一波！

直接说好不好，值不值得买，给出结论

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