描述
安森美半导体 NVMFS9D6P04M8LT1G MOSFET - 功率，单 P 沟道 -40 V，9.5 m，-77 A
功能特点
占用空间小，设计紧凑
低 RDS(on)，可将传导损耗降至最低
低电容，将驱动器损耗降至最低
NVMFWS9D6P04M8L - 可湿侧面产品
通过 AEC-Q101 认证并可执行 PPAP
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范
【供应】【收购】安森美 NVMFS9D6P04M8LT1G 表面贴装型 P 通道 40 V 17.1A（Ta），77A（Tc） 3.7W（Ta），75W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 77 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 15.05 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
系列: NVMFS9D6P04M8L
配置: Single
下降时间: 63 ns
正向跨导 - 最小值: 36 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 103 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 83.3 ns
典型接通延迟时间: 13.1 ns
安森美半导体 NVMFS9D6P04M8LT1G MOSFET - 功率，单 P 沟道 -40 V，9.5 m，-77 A
功能特点
占用空间小，设计紧凑
低 RDS(on)，可将传导损耗降至最低
低电容，将驱动器损耗降至最低
NVMFWS9D6P04M8L - 可湿侧面产品
通过 AEC-Q101 认证并可执行 PPAP
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范
【供应】【收购】安森美 NVMFS9D6P04M8LT1G 表面贴装型 P 通道 40 V 17.1A（Ta），77A（Tc） 3.7W（Ta），75W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 77 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 15.05 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
系列: NVMFS9D6P04M8L
配置: Single
下降时间: 63 ns
正向跨导 - 最小值: 36 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 103 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 83.3 ns
典型接通延迟时间: 13.1 ns
