IPA60R099P7：600V CoolMOS™ P7 超级结 MOSFET 晶体管，兼具高能效和易用性
型号：IPA60R099P7
封装：TO-220-3
类型：MOSFET 晶体管
IPA60R099P7——产品属性：
系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 530µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1952 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：29W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-FP
封装/外壳：TO-220-3
星际金华，明佳达【供应】【回收】IPA60R099P7（晶体管）SPD06N80C3，PCM5242RHBR 音频立体声DAC。
SPD06N80C3：800V，6A，83W，CoolMOS™ 功率晶体管，TO-252-3
型号：SPD06N80C3
封装：TO-252-3
类型：CoolMOS™ 功率晶体管
SPD06N80C3——产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：785 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
星际金华，明佳达【供应】【收购】IPA60R099P7（晶体管）SPD06N80C3，PCM5242RHBR 音频立体声DAC。
PCM5242RHBR：DirectPath™ 32 位、384kHz、114dB 音频立体声 DAC
描述：PCM5242RHBR 是一款单片 CMOS 集成电路，包括一个立体声数模转换器和额外的支持电路，采用小型 QFN 封装。该器件采用分段式 DAC 架构，具有出色的动态性能，并提高了对时钟抖动的耐受性。
PCM5242RHBR——产品属性：
类型：DAC，音频
通道数：2
分辨率（位）：32 b
采样率（每秒）：384k
数据接口：I2S，PCM
供电电压源：模拟和数字
电压 - 供电：1.65V ~ 1.95V，3V ~ 3.46V
工作温度：-25°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-VFQFN 祼焊盘
供应商器件封装：32-VQFN（5x5）
型号：IPA60R099P7
封装：TO-220-3
类型：MOSFET 晶体管
IPA60R099P7——产品属性：
系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 530µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1952 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：29W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-FP
封装/外壳：TO-220-3
星际金华，明佳达【供应】【回收】IPA60R099P7（晶体管）SPD06N80C3，PCM5242RHBR 音频立体声DAC。
SPD06N80C3：800V，6A，83W，CoolMOS™ 功率晶体管，TO-252-3
型号：SPD06N80C3
封装：TO-252-3
类型：CoolMOS™ 功率晶体管
SPD06N80C3——产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：785 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
星际金华，明佳达【供应】【收购】IPA60R099P7（晶体管）SPD06N80C3，PCM5242RHBR 音频立体声DAC。
PCM5242RHBR：DirectPath™ 32 位、384kHz、114dB 音频立体声 DAC
描述：PCM5242RHBR 是一款单片 CMOS 集成电路，包括一个立体声数模转换器和额外的支持电路，采用小型 QFN 封装。该器件采用分段式 DAC 架构，具有出色的动态性能，并提高了对时钟抖动的耐受性。
PCM5242RHBR——产品属性：
类型：DAC，音频
通道数：2
分辨率（位）：32 b
采样率（每秒）：384k
数据接口：I2S，PCM
供电电压源：模拟和数字
电压 - 供电：1.65V ~ 1.95V，3V ~ 3.46V
工作温度：-25°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-VFQFN 祼焊盘
供应商器件封装：32-VQFN（5x5）
