STW35N60DM2——600V，28A，N 通道功率 MOSFET 晶体管，TO-247-3
型号：STW35N60DM2
封装：TO-247-3
类型：MOSFET 晶体管
STW35N60DM2——产品属性：
系列：MDmesh™ DM2
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2400 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：210W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
星际金华，明佳达【供应】【回收】STW35N60DM2（功率 MOSFET 晶体管）IRFH5215TRPBF。
IRFH5215TRPBF——150V，单N通道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 晶体管
型号：IRFH5215TRPBF
封装：PQFN-8
类型：MOSFET 晶体管
IRFH5215TRPBF——产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：58 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1350 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），104W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PQFN（5x6）
封装/外壳：8-VQFN 祼焊盘