产品详情：
1、STW14NK50Z N通道功率MOSFET，属于SuperMESH™系列。
规格
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 92 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
STW14NK50Z N沟道500V - 0.34 Ohm - 14A - TO-247有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 功率MOSFET
【供应】晶体管：STW14NK50Z 和 BSC0901NSI N沟道功率MOSFET 全新原装现货
2、BSC0901NSI N通道功率MOSFET，属于OptiMOS™系列。OptiMOS™ 25V 具有超低栅极电荷和输出电荷，导通电阻最低，封装尺寸小，是满足服务器、数据通信和电信应用对稳压器解决方案苛刻要求的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品通过改善 EMI 性能和延长电池寿命，满足了笔记本电脑电源管理的需求。提供半桥配置（功率级 5x6）
产品属性
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TDSON-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:100 A
Rds On-漏源导通电阻:1.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:41 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:69 W
配置: Single
下降时间: 4.6 ns
正向跨导 - 最小值: 65 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
上升时间: 7.2 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
1、STW14NK50Z N通道功率MOSFET，属于SuperMESH™系列。
规格
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 92 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
STW14NK50Z N沟道500V - 0.34 Ohm - 14A - TO-247有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 功率MOSFET
【供应】晶体管：STW14NK50Z 和 BSC0901NSI N沟道功率MOSFET 全新原装现货
2、BSC0901NSI N通道功率MOSFET，属于OptiMOS™系列。OptiMOS™ 25V 具有超低栅极电荷和输出电荷，导通电阻最低，封装尺寸小，是满足服务器、数据通信和电信应用对稳压器解决方案苛刻要求的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品通过改善 EMI 性能和延长电池寿命，满足了笔记本电脑电源管理的需求。提供半桥配置（功率级 5x6）
产品属性
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TDSON-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:100 A
Rds On-漏源导通电阻:1.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:41 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:69 W
配置: Single
下降时间: 4.6 ns
正向跨导 - 最小值: 65 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
上升时间: 7.2 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
